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Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Super Fast Recovery Diode
RF2001NS3D
?Series
?Dimensions (Unit : mm)
?Land size figure (Unit : mm)
Standard Fast Recovery
?Applications
General rectification
?Features
1)Ultra low switching loss
2)High current overload capacity
?Structure
3)Cathode common dual type
?Construction
Silicon epitaxial planer
?Absolute maximum ratings
(Tc=25
?C)
Symbol Limits UnitConditions
VRM
350 V
VR
300 V
20 A
100 A
Tj
150
?C
Tstg
?55 to ?150
?C
?Electrical characteristics
(Tj=25
?C, per diode)
Symbol
Min. Typ. Max. Unit
VF
－
1.2 1.3 V
IR
－
0.03 10
μA
trr
－
17 25 ns
Rth(j-c)
－－2 °C/W
Reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
?Taping dimensions (Unit : mm)
Parameter
Junction temperature
Forward current surge peak
IFSM
Average rectified forward current Io
Parameter
Storage temperature
junction to case
Conditions
Thermal resistance
Reverse recovery time
VR=300V
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR
Reverse current
Forward voltage
IF=10A
1/2 Io per diode
Tc=90°C
60Hz half sin wave, Non-repetitive
one cycle peak value, Tj=25°C
Duty≤0.5
Direct voltage
60Hz half sin wave resistive load ,
ROHM : LPDS
JEITA : TO263S
①
Manufacture Year, Week and Day
RF2001
NS3D
①②③
①
1/4
2011.10 - Rev.A
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RF2001T2D 功能描述:整流器 FAST 200V 20A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel